| 记忆体产九月底能涌出 封测厂Q4忙扩产 |
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发布时间：2007-11-16 |
受惠于国内四大DRAM厂九○奈米新制程产能开始于十月起大量开出，以及东芝、新帝（SanDisk）又大量释出NAND快闪记忆体封测订单来台，后段封测厂矽品、力成、泰林、南茂等业者，第四季记忆体封测产能已全面告急。由于记忆体厂明年首季后仍会新产能陆续开出，配合韩国DRAM大厂Hynix又开始扩大委外代工订单，封测厂已开始下单采购设备，迎接第四季传统旺季到来。
国内DRAM厂七月起开始大量将主流制程由○．一一微米转入九○奈米，新制程产能已开始于九月底陆续开出，十月后将有逾半产出是采用新制程。由于九○奈米新制程初期需要较长时间的测试，单片晶圆产出颗粒又较○．一一微米增加三○％，所以封装测试厂已接获上游DRAM厂通知，要求配合扩增后段封测产能。
同时，东芝及新帝亦开始增加NAND封测委外订单来台。二家合资的东芝四日市十二寸厂第三制造栋原订今年底月产能为四万七千五百片，但为了扩大市占率，月产能已提高至七万片，并开始以七○奈米新制程量产。所以为东芝代工的力成、为新帝代工的矽品等二家业者，现在同样面临封测产能不足问题，不得不开始加码采购设备扩产。
设备业者指出，原本封测厂端下半年并没有太积极的扩产计划，但没想到DRAM价格在八月中旬开始大涨，NAND价格亦在九月止跌，不但减轻了封测价格下跌压力，上游客户端持续以新制程开出产能，对测试产能需求更为强劲，因此封测厂第三季停滞的扩产计划，又于近期重新启动，矽品、力成、泰林、南茂等业者，都有扩增封装测试设备的动作。
在NAND快闪记忆体部份，东芝及新帝明年将开始把主流制程由七○奈米移转到五六奈米，不但单片晶圆产出量增加超过三成，测试时间亦要拉长，加上东芝及新帝亦决定兴建第四制造栋，明年底月产能为二千五百片，○八年底月产能达六万七千五百片，所以光是二家业者委外订单，就够力成及矽品接单满到后年。 |
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