南韩记忆体大厂海力士（Hynix）日前释出聚焦生产NAND型快闪记忆体（Flash）消息，对于劲敌美光（Micron）而言，2厂NAND型Flash市占率眼看差距就要愈拉愈大，然对于2006年全球DRAM市场而言，则无非是个好消息，少一个标准型DRAM业者竞相扩产，多少可以稳住全球DRAM均价跌势，若DRAM业者制程转换过程多花上稍许时间，说不定2006年全球DRAM价格还有小涨机会。
    三星电子（Samsung Electronics）为巩固领先优势，早在2005年底释出将于2006年第一季持续降低旗下DRAM产能、转产NAND型Flash的消息，其中DDRII产能将再度减产5,000万颗；南韩2大记忆体业者纷纷将DRAM产能转进NAND型Flash，势必纾解不少DRAM产能过剩、需求未如预期的阴霾。
    不过，从NAND型Flash的角度而言，美光日前公布最新一季财报结果，显然令华尔街分析师暨投资人一喜一忧。忧的是，由上一季财报表现推估，市场原先预期美光最新一季NAND型Flash表现，可望更上层楼，侵蚀前3大业者三星、东芝（Toshiba）、海力士的市占比重，然而在三星与海力士全力围堵下，美光在NAND型Flash上仅防守有功，却未能灌篮得分。
    至于喜讯则是美光在CMOS影像感测元件市场经营有成，影响力直逼业界大厂豪威（OmniVision），再加上美光以自有产能生产CMOS影像感测器，具有成本及产能调拨等优势。此外，美光具备DRAM、Flash以及感测器等产品组合，针对手机制造商推出一次购足的手机晶片解决方案，亦是美光胜出之处。
    就目前表现看来，海力士在2005年首度挺进全球前10大半导体供应商排行榜，更以营收成长率高达23.4％的佳绩，笑傲群雄，与英特尔（Intel）增幅14.3％及三星电子（Samsung Electronics）增幅9.7％相较，皆有过之而无不及；然而，与劲敌美光相较，海力士深耕记忆体产品、聚焦PC与消费性电子领域，未如美光的多角化经营。
    尽管快闪记忆体目前可作为海力士DRAM价跌时的缓冲，但美光还着眼手机大厂提供all-in-one完整解决方案，再加上未来与英特尔合资快闪记忆体之助，后来居上之势可期。